对于10亿美金存储芯片订单，世界5大存储芯片制造商，美光公司，三木桑公司，英飞凌公司，东芝公司，日立公司，可谓是馋涎欲滴，非常期望获得大深市芯片产业有限公司的存储芯片巨额订单。

所以，当李飞放出签订存储芯片供货协议…，就非常警觉，美光，英飞凌，东芝，日立立即召开会议，

从这消息分析芯片存储的价格，到底有多低到底大深市芯片产业有限公司与哪一家签订协议….？

同时也对消息的真假进行分析，注意到三木桑会长李健正在华夏国，虽然说去三木桑在华夏国广粤省的工厂，但是，又去过大深市，

也就是说，这一则消息，基本确定是真的。那么，大深市芯片产业有限公司公司可能与三木桑公司签订供货协议…

这么一刺激，美光，英飞凌，东芝，日立，就立即意识到这是最后一次商谈的机会，拿出最终的价格…，

美光公司董事长，英飞凌公司的董事长，纷纷来到华夏国，与大深市芯片产业有限公司商谈，

不过，李飞在存储芯片供应链上，目前是排除了这两家，所以，对美光，英飞凌这两家的芯片存储价格没有很大的兴趣，

也就是说，李飞在与美光公司，英飞凌公司商谈过程里，很冷静，摆出强势的态度，令两家的董事长，战战兢兢…。

经过一番讨价还价，美光，英飞凌两家公司最终的报价，在128兆NAND存储价格上报价8.58.3美金。所以，是远远高于三木桑公司8美金的报价…。

当然，公司之间的商业会谈，说简单，就简单，说复杂，就很复杂…。但是，对大深市芯片产业有限公司来说，是非常简单，在保证芯片存储质量的前提之下，价格下调20，即8美金。谁家存储芯片价格便宜，就有资格成为供应商…

而对芯片制造商来说，是非常复杂，要想成为大深市芯片产业有限公司存储芯片供应商，不光是在价格上，还要与对手竞争…。

与全球5大存储芯片制造公司周旋的同时，李飞注册浸没式光刻机技术，也发表3篇论文，关于目前光刻机的技术难点，作出具体分析，以及应对解决方案…

随着芯片的技术发展，其芯片的功能越来越多，而芯片集成的晶体管就越来越多，芯片面积的要求，也越来越小，那么，意味着芯片制程就就越来越高，

大深市芯片产业有限公司，作为一家芯片设计公司，是十分关注芯片制程的问题，从1996年，公司研发出500nmFM芯片，再到1999年，研发出手机芯片，就越来意识到芯片制程是非常重要…，

希望目前芯片制程能力，做到65纳米，45nm，甚至是28nm以下…。

众所周知，要想提高芯片制程的能力，光刻技术就特别重要了，就需要每年把光刻机的曝光关键尺寸（CD）降低3050。根据公式：CDk1（λ/NA），降低波长λ，提高镜头的数值孔径NA，降低综合因素k1。

以目前的光刻机技术，直接降低波长λ，是最直接的办法，为了降低光源的波长，全球光刻机厂商都投入巨资，研发下一代光刻机光源技术，

根据目前全球的光刻机技术，其中，尼康投入巨资研发出波长更低的157nmF2准分子激光做为光源，但是，被现有193nm机器用的镜片吸收，造成分辨率等问题，并且，光刻胶也要重新研制，所以改造难度极大，而对193nm的波长进步只有不到25，研发投入产出之间的比例，是非常之低…

可以说，变动时非常大的。基本从目前193nm光刻技术上推倒重来。

还有就是，由米国组织的EUV联盟，而这个联盟是由英特尔，AMD，摩托罗拉，ASML，英飞凌等企业组成，正在验证了EUV光刻机的可行性…。

相对以上的两种光刻机技术方案，都不是最优的，特别是EUV联盟，所主导的EUV光刻机方案，以目前的技术是非常难以实现，并且，是需要巨额的资金，没有一家公司能承受…。

那么，以目前的光刻技术193nmArF光源的干法光刻机，作出简单的更改，就能把光源波长降低，

降低光源的波长，可以在镜头与晶圆曝光区域之间的介质从空气换成水，由于水的折射率大约为1.4，那么波长可缩短为193/1.4132nm，大大超过攻而不克的157nm，完全可以实现45nm，甚至是28nm以下制程。

其工作原理就是：利用光通过水介质后光源波长缩短来提高分辨率，而浸没式光刻机采用折射和反射相结合的光路设计。这种设计可以减少投影系统光学元件的数目，控制像差和热效应，实现光刻技术…

根据以上的数据，浸入式光刻机，可以说属于轻微地改进，能产生巨大的经济效应，其光刻机的产品成熟度是非常高的，

不过，顺便说一下，由米国组织EUVLLC联盟，是在2003年，这个EUVLLC联盟解散，也就是说，这个联盟只是存在了6年。

当时尼康光刻机是没有进入EUV联盟，米国认为这是米国的高科技，怎么能分兴给外国企业…。

具体原因还是当时米国半导体，甚至是光刻机SVG公司、被曰本公司，尼康公司打得落花流水，所以，担心曰本企业强大，米国拒绝尼康公司加入EUV协会…。

虽然说，ASML加入EUV联盟，但是，并没有立即研发出EUV光刻机　　因为在90年代，ASML还是一家小公司，每年的盈利是非常少，而研发EUV光刻机，其每年研发的费用高达10亿美金，所以，在90年代，ASML根本没有实力研发EUV光刻机，

而是跟随尼康光刻机的脚步，也从事157nm研发，ASML收购米国光刻机SVG公司，获取了反射技术，2003年出品了157nm机器…，很显然，在最后，不论技术，还是成本完败于低成本的浸入式193nm。

不过，根据21世纪网络新闻记载，在2002年，台积电公司林本坚，在一次技术研讨会上提出了浸入式193nm的方案，

随后，林本坚带着浸入式193nm的方案，跑遍米国，曰本，德国光刻机公司，说服大厂们采用“浸入式光刻”方案，基本都是被拒绝。因为以上的公司正在研发157nm，那么。现在研发浸入式193nm，就意味着之前的巨量研发都打水漂，

ASML在一年的时间内就开发出样机，充分证明了该方案的工程技术和成本，远远优于157nmF2…。

就这样，ASML正式一步步成为光刻机第一，并且，积累了原始的资金后，ASML正式在2007年，启动EUV光刻机研发，

在3年后，也就说2010年诞生的第一台EUV光刻机的研发用样机：NXE3100。

2012年，ASML请英特尔、三星和台积电入股，希望大家共同承担EUV光刻机研发工程，因为每年的EUV光刻机的研发费用，需要每年10亿欧元。

虽然说尼康被迫随后也宣布去做浸入式光刻机，但是，在光刻领域是赢家通吃，这是因为新产品总是需要至少13年时间，与芯片制造工厂在技术上之间磨合。

那么，ASML比尼康公司，提前2年时间，去改善问题和提高良率，最后导致尼康光刻机从2000年的市场占有率第一，到了2009年市场占有率不到30，到了2020年，就更不用说了，只有10，且尼康光刻机产品只是用在低端的芯片工艺制程…。